加速2nm制程技术？台积电将于24年获得NA EUV光刻机！

近日，有消息称，台积电将于2024年取得阿斯麦尔下世代最新的极紫外光微影设备，为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。

前不久，才有业内人士表示台积电或将在9月份正式量产3nm工艺，预计于第三季下旬投片量将会有一个大幅度的拉升，而第四季度的投片量会达到上千的水准并且正式进入量产阶段。

同时，台媒也在最近报道称，台积电可能在2025年正式推出2nm制程，同时市场方面也普遍看好台积电的2nm制程工艺全面领先三星以及英特尔。目前，台积电2nm晶圆厂将座落于竹科宝山二期扩建计画用地中，竹科管理局已展开公共设施建设，台积电也已经开始整地作业。

据资料显示，台积电2nm制程将采用GAAFET架构，相比台积电3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，应用包含移动计算、高性能计算及完备的小芯片整合解决方案。

台积电业务开发副总裁之前曾经表示，取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究。从之前公布的信息来看，极紫外光光刻设备的单价估计为4亿美元，约合人民币28亿元人民币，是目前现有EUV光刻设备的两到三倍。

台积电的竞争对手三星就传出消息将要购买这台设备，三星电子副董事长李在镕此前与ASML公司就引进该荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外光光刻设备进行了会谈，并就引进今年生产的EUV光刻设备和计划于明年推出的高数值孔径(High-NA)EUV光刻设备达成了协议。

英特尔同样宣布已签署合同购买5台这种设备，用于在2025年生产1.8纳米芯片。台积电也在6月16日的美国硅谷技术研讨会上表示，它将在2024年在全球首次将High-NAEUV光刻设备引入其工艺。

据悉，这款新型EUV系统可实现0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化。目前ASML每台机器的成本高达1.6亿美元，同时这种机器将比现有机器大30%，而之前的机器就已经大到难以想象，甚至需要三架波音747来装载它们。

台积电总裁魏哲家此前在技术论坛中强调，台积电2nm将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好，台积电2nm进度将领先对手三星及英特尔。可以看出，这次台积电在2nm的研发上是比较有信心的，作为半导体行业的领头羊，台积电在2nm工艺上的动态会受到外界的绝对关注，这也意味着这项工艺对于台积电来说意义重大。

只要2024年这台光刻机一到位，台积电就将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，理想情况下客户可以在2026年收到基于2nm工艺打造的芯片。